что такое sram в игре
Что такое sram в игре
Содержание
История
Изначальная идея кэша — это буферизация, например, при работе с жесткими дисками происходит не побитовое чтение, а читается сразу множество бит в специальный буфер, доступ к которому возможен значительно быстрее, чем к информации, записанной на диске. Однако применительно к кэшу оперативной памяти такой простой подход не годился по многим причинам. Кэш процессоров Intel разделён на 3 части : Кэш команд, кэш данных и буфер ассоциативной трансляции.
Иерархия памяти
Процессор может выполнять команды со скоростью частота шины x множитель, но если команда обращается к памяти(типичная ситуация), то процессор должен произвести операцию ввода/вывода с памятью через специальную шину, вот только она всё равно не такая быстродействующая, как процессор. Если ничего не предпринимать, то производительность всей системы застрянет в этом бутылочном горлышке, процессор большую часть времени будет ждать окончания работы с DRAM. Кроме того, команды для процессора тоже находятся в оперативной памяти и их тоже необходимо читать. Поэтому в кэш команд помещаются ближайшие к текущей команды, чтобы не читать их из медленной памяти, а в кэш данных помещаются копии тех частей памяти, к которым чаще всего происходит обращение.
Итоговая картина такова: самыми быстрыми ячейками памяти являются регистры процессора, но их очень мало и их нельзя просто увеличивать, так как регистры процессора это очень сложные устройства из сотен тысяч транзисторов. На втором месте находится кэш L1, он расположен внутри процессора и работает на его частоте и позволяет процессору работать на номинальной частоте. Его размер совсем мал, единицы или десятки килобайт. есть ещё дополнительные уровни кэш памяти L2, L3 итп, то есть кэш L2 имеет больший размер, чем L1, но меньший, чем L3, но работает быстрее последнего. Но кэш не используется как дополнительный объём памяти, например, если в компьютере есть 4 мебибайта кэша и 8 мебибайт оперативной памяти то полный объём памяти всё равно 8 мебибайт.
Дальше располагается DRAM, эта память достаточно быстродействующая, чтобы использовать её в качестве кэша для жесткого диска или CD-ROM, её объём значителен, а цена невелика. Но и её часто не хватает, тогда часть информации можно выгрузить на следующий уровень памяти — на жесткий диск, бит информации на котором стоит ещё дешевле, поэтому их объём обычно в сотни раз больше, чем DRAM.
Что такое SRAM?
в Компьютеры 03.09.2018 0 131 Просмотров
Статическая память произвольного доступа (SRAM) – это тип компьютерной памяти, используемый в различных электронных приложениях, включая игрушки, автомобили, цифровые устройства и компьютеры. SRAM память – это память, которая для хранения информации требует постоянного потока энергии. Хотя она быстрее, чем память DRAM, но SRAM стоит дороже и имеет меньше информации на единицу объема.
Поэтому, она обычно используется используется для критических вторичных применений, таких как быстрая кэш-память для центральных процессоров (ЦП). Кэш ЦП может значительно повысить общую производительность компьютера с относительно небольшим объёмом выделенной памяти.
По сравнению с DRAM, SRAM более энергоэффективная в режиме ожидания. Тем не менее, разгон процессора может отрицать это преимущество энергосбережения. Разгон приводит к тому, что процессор работает быстрее, чем его спецификация заявленная производителем. В этом случае кеш SRAM тратит меньше времени в энергосберегающем режиме ожидания.
SRAM также присутствует во многих современных жёстких дисках в качестве дискового кеша. Кэш диска используется для временного хранения данных, к которым часто обращаются. Извлечение данных из кеша во много раз быстрее, чем извлечение его из стандартного жесткого диска, спроектированного с помощью пластин. Люди также могут найти SRAM в модемных маршрутизаторах, принтерах, цифровых камерах и компакт-дисках (CD) или цифровых универсальных дисках (DVD). Игрушки с электронными интерфейсами также обычно используют этот тип памяти.
Статическая ОЗУ может быть синхронной или асинхронной. Асинхронная SRAM не зависит от тактовой частоты процессора, а синхронная синхронизируется с тактовой частотой процессора.
SRAM может быть встроена в один из двух типов транзисторных микросхем: транзистор с биполярным соединением или транзистор с полевым эффектом металл-оксид-полупроводник (MOFSET). Первый делает SRAM чрезвычайно быстрой, но также она потребляет много энергии. Этот тип транзистора используется в специальных приложениях. MOFSET – это более распространенный тип памяти, используемый в различных приложениях, обсуждаемых здесь. Пользователи компьютеров не должны путать SRAM с SDRAM или синхронной динамической памятью произвольного доступа. SDRAM – это флейвор DRAM и они функционирует по-разному.
Универсальная память: SRAM, DRAM и флеш-память в одном флаконе
В наши дни существует не один вид памяти, каждый из которых применяется для той или иной задачи. Они со своими задачами справляются достаточно хорошо, но есть ряд недостатков, которые не дают возможность назвать какой-либо из этих вариантов памяти универсальным. Если добавить сюда проблему колоссального роста данных во всем мире и жажду человечества к энергосбережению, то необходимо создать что-то совершенно новое. Сегодня мы познакомимся с исследованием, в котором ученые представили новый тип памяти, объединяющий в себе достоинства как флеш, так и DRAM памяти. Какими «плюшками» обладает данное новшество, какие технологии были задействованы для его создания и какие перспективы? Об этом мы узнаем из доклада исследовательской группы. Поехали.
Основа исследования
Типов памяти существует далеко не один, и все они были созданы для конкретной задачи: SRAM (статическая память с произвольным доступом) для кеша, DRAM (динамическая память с произвольным доступом) для активной памяти, флеш-память для хранения данных и т.д. Однако, что вполне ожидаемо, у каждого из вышеперечисленных типов памяти есть свои персональные недостатки.
Например, флеш-память, представляющая собой совокупность МОП-транзисторов (металл-оксид-полупроводник) с плавающим затвором (FG) для хранения заряда. Данные представлены в таком варианте как количество заряда, удерживаемого в FG, который изолирован оксидными слоями.
Несмотря на этот минус, есть достаточно внушительный плюс — считывание данных происходит посредством проверки проводимости канала, для чего нужно совсем небольшое напряжение. Благодаря этому данные остаются нетронутыми, что называют неразрушающим считыванием.
DRAM, в свою очередь, значительно быстрее флеш-памяти, потому и используется для активных вычислительных процессов, так сказать. Недостаток DRAM в том, что данные теряются из ячеек при считывании. Помимо этого возникают утечки заряда из конденсаторов, используемых для хранения данных.
SRAM также достаточно быстрый тип памяти и данные не так теряются, как в DRAM. Однако, как правило, используется по 6 транзисторов на ячейку, то есть нужно много площади на чипе.
Представив вышеописанные недостатки классических типов памяти, ученые подчеркивают важность поиска альтернативного или гибридного варианта, который будет лишен подобных проблем, при этом совместит в себе все преимущества своих предшественников.
В данном труде исследователи представляют нашему вниманию свое видение нового типа памяти — нового низковольтного, полупроводникового, основанного на заряде, энергонезависимого запоминающего устройства компактной формы, работающего при комнатных температурах. Исследователи окрестили свое детище «универсальной памятью» (простенько, но со вкусом).
Устройство представляет собой память с плавающим затвором, созданную на базе гетероструктур InAs/AlSb/GaSb, где InAs применяется и как плавающий затвор, и как канал без переходов.
Ученые предоставили результаты моделирования и фактических испытаний прототипа с одной ячейкой.
Результаты исследования
Изображение №1
На изображении выше представлены схематический вид устройства и снимок ПРЭМ (просвечивающего растрового электронного микроскопа).
Как и в случае флеш-памяти, в данном устройстве заряд хранится в FG, но при этом отсутствуют оксидные барьеры. Вместо этого было использовано смещение зоны проводимости в так называемом 6.1-Å семействе полупроводников. То есть устройство, лежащее в основе ячейки памяти, больше похоже на транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), чем на МОП-транзистор. InAs образует канал, который не содержит переходов. Однако было применено n-легирование, дабы компенсировать непреднамеренное фоновое легирование и удержать Ga вакансии в нижележащем GaSb. Обе эти задачи естественным образом делают слои p-типа.
p-n-переход* — участок соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — p (дырочной) и n (электронной).
Изображение №2
График 2а демонстрирует смоделированное выравнивание энергетических зон, а также плотность электронов и дырок в слоях при отсутствии смещения. Теоретические данные в совокупности с моделированием демонстрируют, что на интерфейсе InAs и GaSb зона проводимости InAs находится ниже валентной зоны GaSb. А это приводит к перемещению электронов из слоя GaSb в слой InAs, после чего в GaSb остаются дырки.
Дырка* — незаполненная валентная связь, проявляющая себя как положительный заряд, равный заряду электрона.
Накопленные электроны/дырки видны на границе между InAs и GaSb, но электроны в канале InAs не связаны с интерфейсом InAs / GaSb, при этом их плотность наблюдается по всему InAs. В проводимости всего канала преобладают электроны в InAs, которые будут иметь более высокую подвижность и более высокую плотность, чем дырки в GaSb.
Внутренний FG слоя InAs изолирован от канала InAs барьером AlSb (15 нм). В то же время, двойные квантовые ямы* InAs и три барьера AlSb выполняют роль резонансно-туннельного барьера между FG и CG InAs с n-легированием.
Квантовая яма* — ограничивает движение частиц в двумерном измерении (вместо трехмерного), из-за чего они могут двигаться только в плоском слое.
Следовательно, в исследуемом устройстве электроны, хранящиеся в FG слоя InAs, изолированы аномально большим разрывом зоны проводимости с AlSb. Это значит, что можно получить систему ограничения заряда, которая будет иметь время хранения при комнатной температуре, равное 1014 лет.
Самым важным аспектом работы исследуемого устройства является факт того, что две квантовые ямы (QW1 и QW2) в тройном резонансно-туннельном барьере имеют разные толщины, то есть имеют место ограниченные состояния с разными энергиями (2a). Поскольку QW2 тоньше QW1, единственный доступный уровень энергии для электронов в QW2 имеет более высокую энергию, чем эквивалент в QW1. Кроме того, состояние в QW1 имеет значительно более высокую энергию, чем состояние в соседнем CG участке. Таким образом предотвращается прямое туннелирование электронов между CG и FG, а барьер перехода электронов из CG в FG (или наоборот) определяется смещением зоны проводимости InAs / AlSb на 2,1 эВ, то есть заряд не будет течь к/от FG.
Основное и первичное возбужденное состояния в плавающем затворе (FG) расположены значительно ниже энергетических состояний внутри обеих QW. Следовательно, когда не применяется никакого напряжения, электроны заперты внутри FG, т.е. тройной резонансно-туннельный барьер становится непреодолимым для электронов в/из FG. Таким образом достигается энергонезависимость.
Если же применить незначительное напряжение к управляющему затвору (CG), то можно настроить связь энергетических состояний внутри резонансного туннельного барьера, что позволит электронам свободно проходить из (2b) или в (2с) плавающий затвор.
Во время экспериментов все операции чтения, записи и стирания проводились в нескольких ячейках (размер затвора — 10 х 10 мкм) в защищенном от электростатики темном боксе при комнатной температуре. Все операции, включая записи и стирание, выполнялись при смещении ≤ 2,6 В, что примерно на порядок ниже, чем необходимо для полноценной работы с ячейкой флеш-памяти, подчеркивают исследователи. Стирание выполнялось путем смещения управляющего затвора (V E CG-S) на +2.5 или +2.6 В между CG и источником, что приводило к состоянию «0».
График 2с это смоделированная энергетическая зона, когда для записи данных используется смещение управляющего затвора: V W CG-S = −2.6 В. В этом случае энергетические уровни в QW1 и QW2 практически совпадают, что приводит к сильной связи этих состояний, резонансному туннелированию и потоку электронов из CG в FG.
Из-за емкостной связи проводимость канала зависит от количества заряда, хранящегося в FG, поэтому чтение данных осуществляется посредством измерения тока затвор-исток при фиксированном напряжении затвор-исток.
Повышение заряда в FG, т.е. состояние «1», уменьшает заряд в канале, что приводит к снижению его проводимости. В случае состояния «0» происходит обратный процесс. Считывание данных можно осуществить и без какого-либо смещения к CG, но напряжение необходимо для индивидуальной выборки устройств в массиве ячеек. Кроме того, напряжение должно генерировать электрическое поле по резонансно-туннельному барьеру, что сделает возможным переход заряда из/в FG. Для достижения этих задач потребуется всего лишь
Характеристики универсальной памяти
Во время практических испытаний чтение было выполнено с нулевым смещением на CG и VS-D = 1.0 В. Однако, по заявлениям ученых, можно было применить и меньшее напряжение для успешного чтения.
Изображение №3
На изображении 3а показана последовательность операций стирание-чтение-запись-чтение. Главной особенностью последовательности является операция чтения после каждого шага стирания или записи.
На изображении 3b показана более усложненная последовательность, в которой после каждой операции стирания и записи идет не одна операция чтения, а несколько. Таким образом исследователи демонстрируют то, что операция чтения имеет неразрушающий характер.
Между состоянием «0» и «1» наблюдается четкое отличие во всех последовательностях. Однако на 3b имеются признаки симметричного восходящего сдвига в IS-D по мере увеличения числа операций. Пока причина такого поведения неясна, но ученые намерены исследовать этот аспект в дальнейших трудах. А вот на 3а такого не наблюдается, поскольку напряжение для стирания/записи немного ниже.
После нескольких сотен операций записи и стирания, а также множества операций чтения во время нескольких тестовых практических испытаний ученые не обнаружили никаких признаков повреждения устройства.
Важной особенностью всех типов памяти, которые основаны на хранении заряда, является энергия переключения, определяемая зарядной энергией конденсатора.
Сходство фундаментальных основ технологии флеш-памяти и исследуемой универсальной памяти наталкивает на сравнение этих двух типов памяти. Если предположить, что у двух устройств этих двух типов одинаковая емкость при одинаковом размере затвора, то энергия переключения универсальной памяти будет в 64 раза меньше, чем у флеш-памяти. Эти удивительные цифры также говорят о превосходстве универсальной памяти и над DRAM.
На изображении 3с показаны некоторые операции записи-стирания из 3b, где видны отличия состоянии «0» и «1»: последовательные измерения чтения после стирания дают немного меньший IS-D для состояния «0». Противоположная ситуация наблюдается при последовательных измерениях чтения после записи, а точнее IS-D немного больше.
Данный эффект ученые связывают с изменчивостью (волатильностью) данных. Для изучения этого ученые выполнили последовательность операции чтения в течение длительного периода времени для каждого состояния памяти (изображение №4).
Изображение №4
Оба состояния «0» и «1» демонстрировали начальное быстрое затухание, которое согласуется с тем, что видно на 3с. Но после этого происходят гораздо более медленные изменения, так что в течение всего времени наблюдения соответствующие состояния «0» и «1» четко различимы.
Также был проведен еще один эксперимент (вставка на изображении №4), который показывает предельное насыщение экспоненциальных затуханий и различимых состояний «0» и «1» во времени.
Существование двойного экспоненциального затухания означает, что в основе деградации состояний лежат сразу несколько механизмов. Среди возможных вариантов ученые выделяют туннелирование через дефектные состояния в барьерах AlSb, тепловое возбуждение электронов через узкую запрещенную зону InAs и рекомбинацию с термически генерируемыми дырками.
Оценка емкости устройства и примененного напряжения для записи/стирания говорит о том, что во время операции записи и стирания из/в плавающий затвор переносится примерно 107 электронов. Это достаточно много, но негативного влияния практически не наблюдается.
Для более детального ознакомления с нюансами исследования рекомендую заглянуть в доклад исследовательской группы.
Эпилог
Ученым удалось не только разработать новый тип памяти, но и провести успешные первые практические испытания энергонезависимого, основанного на заряде устройства компактного размера при комнатной температуре. Ученым также удалось совместить энергонезависимость и низковольтное переключение путем квантово-механических свойств асимметричного тройного резонансно-туннельного барьера. Исследователи заявляют, что их устройство можно масштабировать, при этом не теряя его достоинства.
Времена меняются, меняются и технологии. Флеш-память, SRAM и DRAM достаточно долго занимали господствующее положение среди устройств памяти, однако это может измениться, если разработка универсальной памяти продолжится с таким же успехом, как и в данном исследовании. Данная технология позволит сильно сократить энергопотребление устройств, оснащенных ею, а также продлить их срок службы и повысить производительность.
Дальнейшие исследования, запланированные авторами, покажут насколько революционной является память, столь гордо названная учеными универсальной.
Благодарю за внимание, оставайтесь любопытствующими и хорошей всем рабочей недели, ребята!
«Железо» в игровых приставках. Часть 1: Microsoft X-Box.
Введение
Процессор GameCube
Те, кто имеет опыт работы с компьютерами, уже наверняка знают, что когда речь идет об играх, производительность процессора встает на задний план, если в системе имеются другие узкие места. Поэтому теоретически Gekko могло бы быть вполне достаточно. У нас же сложилось мнение, что его производительности не хватает.
Итак, выбор был остановлен на Gekko только лишь благодаря его физическим характеристикам: хотя размеры кэша L1 и L2 на кристалле больше, в сравнении с Xbox (64кб/256кб против 32кб/128кб) да и количество используемых в процессоре транзисторов здесь больше (более 21 миллиона против примерно 9 миллионов в Xbox), размер кристалла Gekko не превышает 45 квадратных миллиметров. Для сравнения, размер кристалла процессора Xbox примерно равен 100 квадрантным миллиметрам.
В итоге, хотя Gekko и проигрывает по производительности процессору Xbox, размер его ядра меньше, и тепла он выделяет меньше. Это сказывается и на стоимости приставки (она становится дешевле), и на её размерах, что целиком удовлетворяет поставленные Nintendo задачи.
Какое будущее ожидает ATI?
И хотя сам чипсет появился слишком поздно для рынка Super 7, ArtX привлекла внимание Nintendo, с коей и заключила контракт на производство графического ядра для приставок следующего поколения. В итоге эта малоизвестная компания была куплена намного более известным игроком в этой индустрии, компанией ATI.
Зная рабочую частоту ядра (162МГц), можно сказать, что графическое ядро Flipper в отношении скорости заполнения ничего особенного не представляет. Тем не менее, это достаточно эффективный графический процессор. Эффективность обусловлена использованием встроенной памяти DRAM.
«Если кэш такой быстрый, почему бы не поместить всю память в кэш?»
Все это было бы просто замечательно, если бы не необходимость в считывании или записи для «обновления» данных. SRAM избегает этого с помощью 4-6 транзисторов, которые статически сдерживают данные в памяти. С другой стороны, для хранения данных в DRAM используется всего лишь один транзистор в сочетании с конденсатором. Благодаря конденсатору значительно уменьшается размер ячеек DRAM на кристалле. В результате производство памяти обходится дешевле. Но при этом возникает проблема «обновления» данных, о которой мы уже рассказали.
Именно вследствие ценового фактора память SRAM не используется в больших количествах. Ведь она в несколько раз дороже DRAM. Поэтому SRAM не используют в качестве основной памяти системы. Но применение этой памяти в небольших объемах очень даже оправдано. Например, она идеально подходит для кэша.
Компания Monolithic System Technology, Inc. (MoSys) предложила более разумный дизайн памяти. Благодаря этому решению производительность новой памяти не уступала SRAM, а стоимость при этом сильно не возросла.
MoSys утверждает, что размер кристалла памяти 1T-SRAM 64Мбит является на 10-15% больше, чем у аналогичной памяти SDRAM. И хотя кому-то это может показаться незначительным, не стоит забывать, что по размерам 64Мбит RDRAM память на 15-30% больше 64 Мбит SDRAM. В результате добавочная стоимость чипа 1T-SRAM будет составлять от 30% до 100% добавочной стоимости чипа RDRAM (мы оцениваем лишь цену производства без лицензионных выплат) по сравнению с чипом SDRAM. Тем не менее, 1T-SRAM будет в любом случае дешевле, чем обычная память SRAM, опять же вследствие того, что вместо шести транзисторов используется лишь один.
В смысле же производительности оценить 1T-SRAM будет очень сложно, так как мы не встречали ещё пригодных для тестирования платформ с этой памятью. Поэтому делать какие-либо предположения или сравнения очень сложно. Отметим только, что Nintendo планирует полностью использовать память 1T-SRAM в своих приставках GameCube.
Встроенная во Flipper DRAM
Итак, графическое устройство Flipper состоит из 51 миллиона транзисторов, примерно половина из которых предназначена для 1T-SRAM. Если бы Flipper использовал традиционную SRAM, в нем бы работало не 51, а 170 миллионов транзисторов. В результате размер кристалла оказался бы больше, чем размер обоих кристаллов Xbox. Использование 1T-SRAM вместо традиционной SRAM необходимо для обеспечения Flipper достаточным объемом памяти.
2 Мб Z-буфер/кадровый буфер оказывается как нельзя кстати. Из наших опытов с HyperZ и популярными архитектурами рендеринга, с которыми работает Z-буфер, мы знаем, как сильно они используют пропускную способность памяти. Итак, этот Z-буфер на кристалле полностью исключает обращения к основной памяти, в результате чего снижается нагрузка на и без того ограниченный по пропускной способности канал от графического устройства Flipper к основной памяти. Для тех, кого интересуют подробности, скажем, что в чипе имеется четыре устройства памяти 1T-SRAM, в сумме дающие 2Мб. Каждое из этих устройств соединяется по 96-битной шине, что в сумме дает пропускную способность в 7,8 Гбайт/с. Такую пропускную способность Z-буфера можно сравнить с монстрами типа Radeon 8500 или GeForce3 Ti 500. Так как память 1T-SRAM скоростная, то и все обращения к Z-буферу происходят очень быстро. Кроме того, отображаемая поверхность также сначала попадает в эти 2Мб, а уже затем пересылается на внешнюю память для отображения. В результате этого снижается зависимость от пропускной способности основной памяти.
Кэш текстур на 1Мб обеспечивает систему текстурами, но он не играет такой роли, как, скажем, Z-буфер на 2Мб. В нем используется 32 устройства 1T-SRAM (каждое по 256 кбит), и каждое из них соединено 16-битной шиной. В результате пропускная способность кэша составляет 10,4 Гбайт/с.
Кроме того, возможно, со временем производить Flipper станет дешевле. В настоящее время NEC выпускает встроенную DRAM по 0,15 мкм технроцессу, но пока эта технология не настолько хороша, как 0,18 мкм eDRAM. Именно по этой причине в настоящее время Flipper производится по техпроцессу 0,18 мкм. Ко второй половине следующего года, вероятно, развитие технологии позволит создавать eDRAM по техпроцессу 0,13 мкм. А это означает, что в 2003 году мы сможем увидеть Flipper с техпроцессом 0,13 мкм. Переход на 0,13 мкм техпроцесс позволит вдвое уменьшить размер ядра, а производить кристалл меньших размеров дешевле. Но все это зависит от NEC.
1T-SRAM вне Flipper
Всего на материнской плате имеется два чипа 1T-SRAM по 12Мбайт
Flipper создает звук
С другой стороны, раздельный сигнал 5.1 использует для своих пяти основных каналов всю пропускную способность. По самой своей природе, он поддерживает полное разделение каналов, при этом направляя конкретный звук на конкретный канал.
Pro Logic II только начинает обретать популярность в приемниках, а Dolby Digital используется повсеместно уже несколько лет. Очевидно, Pro Logic II станет стандартом для приемников. Но лишь через год или два. И любое устройство, поддерживающее Pro Logic II будет также поддерживать и Dolby Digital и DTS. Что же касается Pro Logic, то уже лет пятнадцать она имеется практически на каждом многоканальном приемнике.
Связь с внешним миром
Высокоскоростной параллельный порт также является собственной разработкой. Он способен передавать данные со скоростью 81 Мбайт/с (на той же скорости, что и встроенная звуковая DRAM). Для жесткого диска этого вполне хватает.
И снова возникает вопрос: насколько популярными будут эти карты. И если пользователи Xbox вовсю пользуются интегрированным Ehternet (устроить такую прелесть для Microsoft практически ничего не стоило), то, чтобы хотя бы узнать, какой ценой обойдется поддержка сетевой работы GameCube, придется подождать.
DVD? Не совсем.
Итак, Nintendo внедрила свою собственную спецификацию мини-DVD. Здесь используются трехдюймовые диски на полтора гигабайта. Можете сравнить их с полноразмерными дисками DVD9 на 9Гб в Xbox.
Несмотря на все это, все игры для GameCube загружаются довольно быстро. Но необходимо заметить, что ни в одной из игр не используются настолько детализованные сцены или текстуры, какие используются в играх для Xbox.
Так как привод физически не поддерживает DVD диски, GameCube нельзя использовать в качестве DVD плеера. В ответ на это Nintendo заявляет, что приставка разрабатывалась лишь как игровое устройство, и для других целей она не предназначена. Планируется, что в Японии Panasonic будет выпускать GameCube с возможностью проигрывания DVD дисков. Но производиться такая приставка будет лишь только в Японии.
Несколько слов о разрешениях
Сзади приставки имеется два порта. Один из них обозначен как аналоговый аудио-видеовыход для всех композитных и S-video разъемов, другой же неправильно маркирован как цифровой аудио-видеовыход (сигнал выдается все равно аналоговый) для компонентных соединений.
Переключать режимы между 480i и 480p можно непосредственно из игры. В большинстве игр если имеется цифровое аудио-видео соединение, вас спросят, хотите ли вы играть в режиме прогрессивной развертки (480p).
Чудесные манипуляторы
Nintendo действительно постаралась на славу, создав контроллер для GameCube. Манипулятор подходит практически под любую руку, хотя некоторым из нас он показался все же слишком маленьким. Благодаря размерам контроллера, приходится использовать менее мощные моторчики отдачи, чем в Xbox. Но это вовсе не так плохо.
Контроллер GameCube кажется намного естественнее, чем любой из его собратьев.
Разбираем устройство
Как обычно, мы не несем никакой ответственности за все, что может случиться с вашей приставкой, и напоминаем, что после такого рода манипуляций вы лишитесь гарантий на приставку.
Кулер в сборке также вынимается очень легко. Здесь вы найдете разъем и выключатель питания.
2) Снятие привода mini-DVD откроет кожух над материнской платой, Gekko и Flipper. Если открутить винты и снять кожух, то вы увидите большой теплоотвод, как изображено ниже:
5) Если достать материнскую плату, можно рассмотреть её с обратной стороны:
Итак, против часовой стрелки, начиная с верхнего левого угла, мы видим разъем питания, первый и второй последовательные порты, и, наконец, разъем высокоскоростного параллельного порта.
6) На размере приставки сказывается и тот факт, что источник питания не выпрямляет ток. Выпрямление происходит во внешнем устройстве, поставляемом с приставкой.
Центральные процессоры
С точки зрения чистой производительности, Celeron 733 (с 4-way ассоциативным кэшем L2) обойдет PowerPC750 на 500МГц практически в любом синтетическом тесте. Мы можем принять как должное, что процессор, работающей на частоте 733МГц и имеющий системную шину 133МГц и 8-way ассоциативный кэш L2, будет работать быстрее Gekko. Поэтому по чистой производительности Xbox выигрывает.
Графические процессоры
Благодаря MoSys и встроенной 1T-SRAM, графический процессор GameCube превосходит по эффективности своих конкурентов. Тем не менее, фиксированная функциональность конвейера для T&L вычислений все же сказывается. И опять же, вклад ATI в дизайн устройства смог бы оказаться очень полезным. Досадно, что ATI приобрела ArtX уже после того, как приставка была разработана, в противном случае мы бы смогли наслаждаться преимуществами программируемого T&L конвейера.
Звук и устройства ввода-вывода
Тем не менее, чтобы делать достоверные утверждения о времени загрузки, необходимо поиграть в одинаковую игру на обеих приставках (Теоретически Xbox должна загружать игры быстрее). Но по имеющимся играм создается впечатление, что игры для GameCube загружаются намного быстрее, чем для Xbox.
Заключение
С визуальной точки зрения, судя по имеющимся в настоящее время играм, можно сказать, Xbox одерживает верх. И хотя игры вроде Rogue Squadron II или Super Smash Brothers Melee для GameCube позволяют приставке «поиграть мышцами», качество графики не совсем сравнимо с тем, что имеется, скажем, в DOA3 под Xbox.
С точки зрения же персональных компьютеров, Xbox уже показала нам, чего можно ожидать от nVidia. Что же можно предположить о будущем ATI по дизайну Flipper от ArtX? Понятно, что технология от ArtX могла бы выиграть, если бы в дело вмешалась ATI. Но ATI просто приобрела ArtX, и теперь уже встает вопрос, как ArtX сможет повлиять на ATI. Здесь действительно есть над чем задуматься.
Похоже, только время сможет дать ответ на этот и другие вопросы, поднятые в этой и других статьях нашей серии. Надеемся, вам понравились наши обзоры Xbox и GameCube.